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SK海力士正在加速奋力，以加强其滥觞的10nm级第六代（1c）DRAM工艺的竞争力。该工艺的极紫外（EUV）拓荒投资已从原计算扩大要三倍。

据业内东谈主士败露，SK海力士正专注于激动1c DRAM工夫，该工夫将诈欺于其第七代高带宽存储器（HBM）HBM4E的中枢芯片，样品录用主见定在本年度。由于HBM的最大客户NVIDIA计算于来岁下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士正面对加速开发速率的压力。

此前，SK海力士曾将其现存的1b DRAM工艺诈欺于HBM3E和HBM4，同期优先将1c工艺用于DDR5、LPDDR5X和GDDR7等巨额DRAM居品。这种政策旨在同期确保HBM开发的牢固性以及滥觞工艺的参考。最近，跟着1c DRAM良率改善，该公司已扩大其在HBM上的诈欺范围，并加多干系投资。

SK海力士在2024年8月开发出16Gb DDR5时，声称获取了1c DRAM工艺工夫的“宇宙开创”称呼。转向量产后，遭逢了良率栽种的挑战，但该工艺相对较快地参预了牢固阶段。

一位业内东谈主士暗示：“旧年7月时，即使是巨额DRAM而非仅限于HBM，a8体育良率也未达预期，因此建造了尽头职责组（TF）来应酬。而后情况已大幅改善。”据业内东谈主士称，SK海力士的1c DRAM在巨额DRAM上的良率已攀升至80%。

凭借这一工夫竞争力，1c DRAM的EUV拓荒投资也已大幅扩大。SK海力士上个月清晰，从ASML购入了价值约12万亿韩元的EUV光刻扫描仪。洽商到该公司本年的总拓荒投资预测约为20万亿韩元，突出一半已分拨至EUV。

上述东谈主士暗示：“据我了解，这突出公司原定的EUV扫描仪录用计算三倍以上。”

SK海力士采购的拓荒是ASML最新的EUV扫描仪型号，时时彩预测采购量约为20台。该条约似乎不包括高数值孔径（High-NA）拓荒。高NA EUV是一种下一代系统，无意完了比传统EUV更轮廓的电路图案化，每台价钱约5000亿韩元。鉴于清晰中提到的拓荒录用扬弃日历为2027年，而高NA尚未参预生意化阶段，其大鸿沟遴荐的时候表似乎过于焦灼。

EUV扫描仪价钱频繁在3000-4000亿韩元范围内，但这次条约预测以更高价钱成交。分析觉得，由于坐褥力栽种，最新式号的价钱更高。

此外，还有不雅察指出，SK海力士支付了15-20%的“加急费”以加速拓荒录用。该公司预测将于2027年底从ASML收到EUV扫描仪的最终录用——比拟2021年以五年条约采购价值约5万亿韩元同类拓荒的时候表，这是一个显赫压缩的周期。关联词，该公司的态度是“该条约以与总计行业访佛水平订立，莫得特殊各异”。

SK海力士计算将EUV扫描仪部署到正在进行1c DRAM工艺退换的坐褥线，包括清州M15X、利川M16以及龙仁半导体集群的第一座工场。

此外，1c DRAM的EUV诈欺层数正从1a DRAM的一层和1b DRAM的四层扩展至五层或更多。竞争敌手三星电子最初曾洽商为1c DRAM诈欺多达8-9层，但洽商到资本职守等成分，已调节至访佛水平。

与此同期，SK海力士通过这次投资也在加速1c DRAM产能延长。该公司计算本年将突出一半的DRAM产能退换为1c工艺居品，到年底产能预测达到每月约19万片晶圆。

（开头：编译自dealsite）

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